В приближении однородного поля в активном слое теоретически проанализирована система уравнений, описывающих кинетику излучения в лазере со средой, образованной двумя компонентами – усиливающим и просветляющимся на частоте генерации. Учитывается, что низкоразмерный усиливающий элемент характеризуется свойствами плотной резонансной среды с возможностью обусловленного диполь-дипольным взаимодействием нелинейного дрейфа спектральной линии усиления. Для физических параметров полупроводниковых квантоворазмерных структур формулируются условия реализации режима самоподдерживающихся пульсаций излучения при постоянном уровне тока накачки.