Представлены зависимости U(t) электрического напряжения от времени t на выходе магнитной головки, сканирующей магнитный носитель
(МН) с записями магнитных полей, прошедших через пластины из алюминия толщиной от 0,18 мм до 0,28 мм. На МН воздействовали четырьмя импульсами магнитного поля линейного индуктора. Получена гистерезисная интерференция импульсного магнитного поля в прошедшей волне, позволяющая повысить точность контроля толщины объекта, удельной электропроводности его материала и дефектов в нем.