Дата публикации: 2012

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:28:46Z

Аннотация:

Рассматривается задача оценки влияния электростатических разрядов (ЭСР) на программное обеспечение (ПО), инсталлированное во встроенную flash-память микроконтроллеров (МК). Предложена методика проведения испытания flash-памяти МК на чувствительность к ЭСР, в котором учитываются ухудшения функциональных свойств МК при определенных значениях напряжения разряда. Проведены эксперименты подтверждающие адекватность разработанной методики. Features of influence of the electrostatic categories for flash-memory of microcontrollers of type AT89C51RC is experimentally investigated. It is established that saved up for-number the static electricity, equal 6,4 кВ, will lead to damage of 94 % of an information stored in flash-memory of microcontrollers. The technique of carrying out of test of flash-memory of microcontrollers on sensitivity to electrostatic categories is offered.

Тип: Article