Дата публикации: 2016

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:29:15Z

Аннотация:

Исследована специфика влияния разрядов статического электричества на современные полупроводниковые приборы. Установлено, что в существующей математической модели расчета интенсивности отказов СБИС не учитывается тип воздействующего разряда. Высказано предположение о целесообразности введения в данный расчет поправочного коэффициента, учитывающего тип воздействия электростатического разряда на наружный вывод микросхемы. Экспериментально подтверждено, что усовершенствование существующей математической модели позволит более точно осуществлять оценку надежности КМОП СБИС.

Тип: Article