Внутренние элементы защиты интегральных схем от воздействия электростатических разрядов

Быковский, С. И.; Шинтар, А. В.; Пискун, Г. А.; Алексеев, В. Ф.

Внутренние элементы защиты интегральных схем от воздействия электростатических разрядов

Быковский, С. И., Шинтар, А. В., Пискун, Г. А., Алексеев, В. Ф.

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:29:19Z

Аннотация:

Представлена классификация базовых встроенных элементов защиты интегральных схем. Исследованы свойства защиты на базе МОП-транзистора: n-МОП транзистора с заземленным затвором (Grounded Gate NMOS Transistor, GGNMOST).

Ключевые слова:
публикации ученых, электростатический разряд, интегральная схема, МОП-транзистор, подложка

Тип: Article

Внутренние элементы защиты интегральных схем от воздействия электростатических разрядов

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация