Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:29:26Z

Аннотация:

Исследованы процессы переноса электронов в GaAs/AlxGa1-xAs гетеро-структуре с использованием метода Монте-Карло. Модели-рование таких структур является актуальной задачей, которая связана с разработкой быстродействующих приборов диапазонов СВЧ и КВЧ. Для анализа физических процессов был использован статисти-ческого метода Монте-Карло, который позволяет учесть все механизмы рассеяния носи-телей заряда в полупроводнике.We investigated the electron transfer processes in GaAs / AlxGa1-xAs hetero-structure by using the Monte Carlo method. Modeling of such structures is an important task, which is associated with the development of high-speed devices SHF and EHF bands. To analyze the physical processes was used- statistical Monte Carlo method, which allows to take into account all the scattering mechanisms of charge in the semiconductor.

Тип: Article