Образование метастабильных атомарных структур при воздействии  сильных электрических полей на наноразмерные оксидные  диэлектрики и их электронные свойства: отчет о НИР (заключ.)

Данилюк, А. Л.; Подрябинкин, Д. А.; Борисенко, В. Е.; Мигас, Д. Б.; Стремоус, Д. В.

Образование метастабильных атомарных структур при воздействии сильных электрических полей на наноразмерные оксидные диэлектрики и их электронные свойства: отчет о НИР (заключ.)

Данилюк, А. Л., Подрябинкин, Д. А., Борисенко, В. Е., Мигас, Д. Б., Стремоус, Д. В.

Дата публикации: 2017

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:31:25Z

Аннотация:

Проведенное моделирование электронных свойств метастабильных атомарных структур, которые возникают в оксидных диэлектриках (на примере диоксида гафния), содержащих кислород и кислородные вакансии, при формовке в электрических полях, показало, что в зависимости от значений конфигурационных параметров ангармонический бистабильный потенциал ловушечных центров изменяет свою симметрию, а также глубину и ширину потенциальных ям.

Ключевые слова:
отчеты о НИР, резистивная память, пороговое напряжение

Тип: Отчеты о НИР

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация