При сборке диодов формируется паяное соединение кристалла с помощью биметаллических контактов и серебросодержащего припоя при температуре до 600⁰С в течение 20 мин. Для уменьшения трудоёмкости и повышения энергоэффективности использован высокочастотный индукционный нагрев. В результате моделирования оптимизирован процесс высокочастотного индукционного нагрева.