Дата публикации: 2003

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:38:42Z

Аннотация:

Приведен алгоритм моделирования на ЭВМ информативных параметров, используемых для индивидуального прогнозирования работоспособности биполярных транзисторов. Он разработан с учетом вероятностных связей, полученных с помощью экспериментальных исследований для информативных параметров и дискретного уровня работоспособности транзисторов.The paper describes computer simulation technique of informative parameters used for individual prediction of bipolar transistor operation. The technique has been designed taking into account probabilistic relationships between informative parameters and discrete levels of transistor operation that were determined through experimental investigations.

Тип: Статья