Использование температуры в качестве имитационного фактора при прогнозировании постепенных отказов полупроводниковых приборов

Боровиков, С. М.; Бересневич, А. И.; Borovikov, S. M.; Berasnevich, A. I.

Использование температуры в качестве имитационного фактора при прогнозировании постепенных отказов полупроводниковых приборов

Боровиков, С. М., Бересневич, А. И., Borovikov, S. M., Berasnevich, A. I.

Дата публикации: 2005

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:39:03Z

Аннотация:

В данной работе с помощью экспериментальных исследований биполярных транзисторов для функционального параметра (коэффициента усиления тока базы в схеме с общим эмит- тером) установлено наличие линейной корреляции между изменениями, вызываемыми дей- ствием температуры как имитационного фактора, и изменениями, обусловленными дли- тельной наработкой транзисторов. Наличие тесной корреляции (модуль коэффициента кор- реляции более 0,8) является доказательством возможности использования температуры в качестве имитационного фактора при прогнозировании постепенных отказов полупровод- никовых приборов методом имитационных воздействий.

Ключевые слова:
доклады БГУИР, полупроводниковые приборы, постепенные отказы, имитационный фактор, статистическая аналогия, прогнозирование

Тип: Статья

Использование температуры в качестве имитационного фактора при прогнозировании постепенных отказов полупроводниковых приборов

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация