Интегрированная система ионно-ассистированного магнетронного распыления была разработана для расширения возможностей управления параметрами осаждаемых пленок.
Преимуществом предлагаемого способа нанесения является высокая скорость роста
покрытия с заданной структурой и соответственно физико-химическими свойствами.
Приведена схема устройства и результаты исследований вольтамперных характеристик
магнетронной распылительной системы в зависимости от давления в вакуумной камере.
Установлены особенности электромагнитной совместимости ионно-лучевой и
магнетронной распылительной систем. Выявлены возможности значительного снижения
пробойного потенциала магнетрона и генерации его разряда при пониженных рабочих
давлениях посредством стимуляции ионным пучком. Изучено влияние различных
конфигураций ионно-плазменного процесса на инициализацию и устойчивость
магнетронного разряда. Отмечены особенности компенсации положительного объемного
заряда ионного пучка.The integrated ion-assisted magnetron deposition system was developed to improve parameter
control capabilities for the thin films deposition. The advantage of the suggested deposition method is
a high growth rate of the film with the specified structure and accordingly physical and chemical properties. The diagram of the ion-plasma system is presented as well as the research data for current-
voltage characteristics of the magnetron sputtering system depending on the pressure in the vacuum
chamber. The electromagnetic compatibility features for the ion-beam and magnetron sputtering systems were established. The capabilities for considerable decreasing of the magnetron breakdown potential and generating a discharge under low pressure with the aid in its stimulating by an ion beam are
discovered. The influence of various configurations of the ion-plasma process on initialization and
stability of the magnetron discharge was studied. The compensation features of a positive ion-beam
space charge were emphasized.