Установлены особенности фазообразования в системе Cd–Ge–As при синтезе монокристал-
лов CdGeAs2. Показано, что при нагревании и охлаждении системы Cd–Ge–As в интервале
температур 30–750 οС кристаллизация CdGeAs2 происходит с образованием метастабильной
Cd3As2 фазы и промежуточной GeAs фазы. Установлено, что введение соединения Cd3As2 в
исходную шихту стабилизирует состав жидкой фазы на фронте кристаллизации CdGeAs2 и
устраняет образование метастабильной фазы Cd3As2 при получении однофазного соедине-
ния CdGeAs2.
