Достоверность прогнозирования функциональных параметров полупроводниковых приборов методом имитационных воздействий

Боровиков, С. М.; Бересневич, А. И.; Шалак, А. В.; Borovikov, S. M.; Berasnevich, A. I.; Shalak, A. V.

Достоверность прогнозирования функциональных параметров полупроводниковых приборов методом имитационных воздействий

Боровиков, С. М., Бересневич, А. И., Шалак, А. В., Borovikov, S. M., Berasnevich, A. I., Shalak, A. V.

Дата публикации: 2006

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:39:19Z

Аннотация:

Прогнозирование функциональных параметров полупроводниковых приборов методом имитационных воздействий выполняется с использованием имитационной модели в виде функции пересчета. Для приборов рассматриваемого вида эту функцию получают один раз на этапе их предварительных исследований (по результатам обучающего эксперимента). С ее помощью определяют уровень имитационного фактора, соответствующий заданной будущей наработке. Решение о пригодности функции пересчета принимают по достоверности прогноза функциональных параметров. Предлагается оценивать достоверность по значению средней ошибки прогнозирования, используя изделия контрольной выборки. Разработан метод определения этой ошибки. Применение метода иллюстрируется примером.

Ключевые слова:
доклады БГУИР, изделия электронной техники, полупроводниковые приборы, биполярные транзисторы, метод имитационных воздействий, прогнозирование функциональных параметров, ошибка прогнозирования

Тип: Статья

Достоверность прогнозирования функциональных параметров полупроводниковых приборов методом имитационных воздействий

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация