Влияние  гамма-излучения  на  параметры  различных  транзисторных  МОП-структур — элементов интегральных микросхем

Коршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Белоус, А. И.; Шведов, С. В.; Ластовский, С. Б.; Кульгачев, В. И.; Korshunov, F. P.; Bogatyrev, Y. V.; Belous, A. I.; Shvedov, S. V.; Lastovsky, S. B.; Kulgachev, V. I.

Влияние гамма-излучения на параметры различных транзисторных МОП-структур — элементов интегральных микросхем

Коршунов, Ф. П., Богатырев, Ю. В., Белоус, А. И., Шведов, С. В., Ластовский, С. Б., Кульгачев, В. И., Korshunov, F. P., Bogatyrev, Y. V., Belous, A. I., Shvedov, S. V., Lastovsky, S. B., Kulgachev, V. I.

Дата публикации: 2007

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:39:24Z

Аннотация:

Рассмотрено влияние гамма-излучения на параметры тестовых n-канальных транзисторных МОП-структур — элементов логических комплементарных МОП интегральных микросхем, а также МОП микросхем памяти — электрически стираемых программируемых постоянных запоминающих устройств. Получены сходные экспериментальные результаты по деградации параметров запоминающих элементов как при воздействии гамма-излучения, так и при воздействии циклов перезаписи информации, что позволяет использовать данные радиационных исследований запоминающих элементов для моделирования результатов их испытаний на надежность.Influence of gamma-radiation on parameters of test n-channel transistor MOS structures (elements of logic complementary МОS integrated microcircuits, and also MOS memory microcircuits — Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) is considered. Similar experimental results on degradation of parameters of memory elements are received both at influence of gamma- radiation, and at influence of cycles of rewriting of the information that allows to use the data of radiation researches of memory elements for modeling results of their reliability tests.

Ключевые слова:
доклады БГУИР, транзисторные МОП-структуры, элементы интегральных микросхем, электрически стираемые программируемые постоянные запоминающие устройства, гамма- излучение

Тип: Статья