Дата публикации: 2007

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:39:35Z

Аннотация:

Методами электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) и резерфордовского обратного рассеяния (РОР) исследована микроструктура твердотельных слоев "аморфный кремний — атомы переходного металла — кристаллический кремний". Установлена кинетика образования аморфной фазы, определена ее толщина и глубина залегания ионов атомов переходного металла. Теоретически рассчитан порог аморфизации кремния и проведено его сравнение с экспериментальными результатами.The microstructure of solid state layers "amorphous silicon—transition metal atoms— crystalline silicon" have been investigated by means of electron paramagnetic resonance and Rutherford backscattering spectroscopy. The kinetics of amorphous phase formation, the thickness of amorphous layer and the depth profile of implanted transition metal atoms have been stated. The amorphisation threshold has been calculated theoretically and compared to experimental results.

Тип: Статья