Дата публикации: 2009

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:40:32Z

Аннотация:

Методами сканирующей электронной микроскопии и рентгеновского дифракционного анализа изучена структура и фазовый состав нанокомпозитов, полученных в результате осаждения меди в пористый кремний (ПК) путем химического замещения из водного раствора CuSO4, HF и C3H7OH. Полученные нанокомпозиты состоят из частично растворившегося скелета ПК, покрытого мелкими медными зернами, и крупнозернистого слоя меди на внешней поверхности ПК. Установлено, что увеличение времени выдержки ПК в растворе для осаждения меди приводит к травлению стенок каналов пор ПК и росту размеров медных зерен. Показано, что медная пленка на поверхности ПК является поликристаллической и состоит из зерен диаметром от 20 до 50 нм и крупных медных кристаллов размером более 50 нм, имеющих хорошо выраженную кристаллическую огранку. Впервые обнаружено, что в процессе химического замещения меди на ПК из раствора указанного состава кристаллы меди растут с преимущественной ориентацией (111), которая совпадает с ориентацией исходной кремниевой подложки.Scanning electron microscopy and X-ray diffraction methods have been used to study structure and phase composition of nanocomposites formed by chemical displacement deposition of copper on porous silicon (PS) from aqueous CuSO4, HF and C3H7OH solution. Obtained nanocomposites consists of partially dissolved PS skeleton dotted with copper fine-sized grains and layer of copper large-sized grains on external PS surface. It is determined time increase of PS immertion in solution for copper deposition causes dissolution of PS pore channel walls and size growth of copper grains. Copper layer on external PS surface is shown to be polycrystalline and composed of grains with diameter from 20 to 50 nm and well-facetig large copper crystals of size more than 50 nm. For the first time it is discovered chemical displacement deposition of copper on PS from mentioned solution results in growth of Cu crystals with preferred orientation (111) copying initial silicon substrate orientation.

Тип: Статья