Дата публикации: 2018

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:42:16Z

Аннотация:

Приведены результаты моделирования средней дрейфовой скорости электронов в одномерной полупроводниковой структуре из арсенида галлия с использованием метода Монте-Карло. Предложен новый набор значений параметров констант моделирования для арсенида галлия, необходимый для реализации метода Монте-Карло, который обеспечивает более высокую точность расчета средней дрейфовой скорости электронов. Результаты моделирования средней дрейфовой скорости электронов с использованием предложенной модели показали хорошее соответствие экспериментальным данным, полученным разными авторами. The modeling results of the average electron drift velocity in a one-dimensional semiconductor structure of gallium arsenide using the Monte-Carlo method are presented. A new set of parameters values of the modeling constants for gallium arsenide is proposed for the realization of the Monte-Carlo method, which provides a higher accuracy for calculating the average electron drift velocity. The modeling results of average electron drift velocity using the proposed model showed good agreement with the experimental data obtained by different authors.

Тип: Статья