Дата публикации: 2018

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:42:16Z

Аннотация:

Проведен расчет светотеневых изображений поверхностей полупроводниковых пластин кремния, полученных методом оптической топографии. Установлена количественная зависимость между интенсивностью светотеневых пятен на топограмме и микрогеометрическими параметрами пластин. Предложено программное обеспечение и критерии количественного 3D-контроля поверхностей пластин.The calculation of shadow images of the surfaces of semiconductor silicon wafers obtained by Makyoh topography is carried out. A quantitative relationship between the intensity of the shadow spots on the topogram and the micro geometric parameters of the silicon wafers has been established. The software for quantitative 3D-control and control criteria of the silicon wafer surfaces is proposed.

Тип: Статья