Исследованы спектры поглощения кристаллов и пленок In2S3 в спектральной области, для определения ширины запрещенной зоны и характера оптических переходов. На основе исследования сделан вывод об основных оптических характеристиках и электрофизических параметров полупроводника In2S3.
