Ионное наслаивание наноразмерных пленочных структур на основе сульфидов самария

Галковский, Т. В.; Богомазова, Н. В.; Мурашкевич, А. Н.; Захлебаева, А. И.; Горох, Г. Г.

Ионное наслаивание наноразмерных пленочных структур на основе сульфидов самария

Галковский, Т. В., Богомазова, Н. В., Мурашкевич, А. Н., Захлебаева, А. И., Горох, Г. Г.

Дата публикации: 2018

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:42:40Z

Аннотация:

Определены оптимальные режимы формирования однородного функционального покрытия SmSx методом многократного ионного наслаивания на поверхности низкопрофильных матриц анодного оксида алюминия на кремниевых пластинах. Безградиентная генерация термоЭДС в профилированных матричных пленках SmSx/Al2O3/Si толщиной 0,5-1,5 мкм начинается при температуре около 150°С. Значения коэффициента Зеебека в интервале температур 150-170°С составили около 400 мкВ/К.

Ключевые слова:
публикации ученых, сульфидные пленки, гетероструктуры, ионное наслаивание

Тип: Статья

Ионное наслаивание наноразмерных пленочных структур на основе сульфидов самария

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация