Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Simulation of impact ionization process in deep submicron n-channel MOSFETS

Borzdov, V. M., Borzdov, A., Speransky, D., Pozdnyakov, D.

Дата публикации: 2013

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:42:59Z

Аннотация:
Ключевые слова:
материалы конференций, n-channel MOSFET, Monte Carlo

Тип: Статья

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core