При исследовании влияния электромагнитных помех (ЭМП) на интегральные
микросхемы (ИМС), блоки и устройства радиоаппаратуры целесообразно проводить испытания
с использованием TEM-камеры. При этом перед экспериментом проводится предварительное
расчетное моделирование влияния ЭМП на ИМС и устройства. Это позволяет значительно
сократить затраты времени и средств. Используя для расчетов библиотеку ранее разработанных
простых моделей, можно прибегать к проведению эксперимента только на стадии испытаний
законченного изделия.