В работе рассматривается единое математическое описание диодно – транзисторных структур (ДТС) как
источников тока интегральной схемотехники, учитывающее изменение в широких пределах собственных
параметров и параметров внешней цепи, что затрудняет анализ и оценку точности и реализацию микро-
электронных устройств на их основании