Дата публикации: 2019

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:46:18Z

Аннотация:

В данной работе были исследованы закономерности формирования тонких пленок оксида цинка (ZnO) с примесью меди методом электрохимического осаждения на подложках из монокристаллического кремния. Полученные структуры были исследованы методом Рамановской спектроскопии и оптической спектрофотометрии. Наблюдаемые на спектрах рамановского рассеяния линии подтвердили наличие кристаллического ZnO в сформированных пленках. Полученные структуры демонстрируют широкую полосу фотолюминесценции в видимом диапазоне с максимумом на длине волны 590 нм, соответствующую излучательным переходам через обусловленные дефектами уровни в запрещенной зоны полупроводника.

Тип: Статья