Фотохимически усиленный процесс очистки, основанный на использовании ультрафиолета с озоном (УФ/O3) в условиях атмосферного давления, характеризуется отсутствием радиационных повреждений сформированных структур ИС по сравнению с другими широко применяемыми методами сухой очистки, а относительная простота реализации позволяет данному методу обработки находить применение для решения ряда технологических задач микроэлектроники.