Выполнено описание штарковской структуры мультиплетов системы YAl3(BO3)4:Tb3+ с помощью стандартной теории кристаллического поля и теории кристаллического поля в приближении аномально сильного конфигурационного взаимодействия. Установлено, что корректный учет влияния возбужденных конфигураций не только улучшает точность описания штарковской структуры мультиплетов, но и существенно расширяет возможности оптической спектроскопии по определению электронной структуры примесных центров, позволяя определять из экспериментальных результатов приведенные параметры кристаллического поля нечетной симметрии и параметры пространственного распределения электронной плотности.