Представлены конструкции систем подвода и концентрации СВЧ и НЧ энергии в двухчастотном плазменном разрядном устройстве, предназначенном для целей реактивно-ионного травления материалов при формировании элементов микроструктуры изделий электронной техники. Основу конструкции составляет СВЧ плазмотрон резонаторного типа с аппликатором в форме замкнутой в кольцо волнововодно-щелевой антенны. По оси СВЧ аппликатора располагается вакуумированная кварцевая камера, по торцам которой размещены плоские электроды низкочастотной газоразрядной системы емкостного типа.