Формирование буферных слоев с помощью анодного оксида алюминия на Si для эпитаксиального роста тринитридов

Горох, Г. Г.; Деминский, П. В.; Лозовенко, А. А.; Захлебаева, А. А.

Формирование буферных слоев с помощью анодного оксида алюминия на Si для эпитаксиального роста тринитридов

Горох, Г. Г., Деминский, П. В., Лозовенко, А. А., Захлебаева, А. А.

Дата публикации: 2019

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:49:33Z

Аннотация:

Предложено две модели формирования темплетно-буферной системы для последующего синтеза на ней низкодефектных эпитаксиальных слоев тринитридов. Первая представляет модифицированную матрицу анодного оксида алюминия (АОА) с синтезированными в порах три нитридными наноструктурами заданного размера. Другая — систему регулярных наноотверстий на поверхности кремниевых подложек, создаваемых травлением через тонкие маски из АОА, в которых синтезируется наноструктуры нитрида галлия. Определены оптимальные геометрические параметры матричных слоев (радиус и высота пор) для формирования нового бездисло- кационного эпитаксиального слоя, оптимальные условия селективного эпитаксиального синтеза наночастиц GaN. Исследованы морфология и микроструктура буферных слоев, а также спектры люминесценции эпитаксиального слоев.

Ключевые слова:
публикации ученых, темплетно-буферные слои, анодный оксид алюминия, нитрид галлия, гидридная газофазная эпитаксия

Тип: Статья

Формирование буферных слоев с помощью анодного оксида алюминия на Si для эпитаксиального роста тринитридов

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация