Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов MnAgIn7S12

Боднарь, И. В.; Чан, Б. Т.; Павловский, В. Н.; Свитенков, И. Е.; Яблонский, Г. П.

Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов MnAgIn7S12

Боднарь, И. В., Чан, Б. Т., Павловский, В. Н., Свитенков, И. Е., Яблонский, Г. П.

Дата публикации: 2019

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:50:00Z

Аннотация:

Направленной кристаллизацией расплава выращены монокристаллы MnAgIn7S12 диаметром 16 и длиной∼40 мм, определены их состав и структура. Показано, что выращенный материал кристаллизуется вкубической структуре шпинели. По спектрам пропускания в области края фундаментального поглощенияв интервале температур 10−320 K определена ширина запрещенной зоны Eg монокристаллов и построенаее температурная зависимость. Полученная зависимость имеет вид, характерный для большинства полупроводниковых материалов: с понижением температуры Eg возрастает. Проведен расчет, и показано, что расчетные и экспериментальные величины согласуются между собой.

Ключевые слова:
публикации ученых, монокристаллы, кубическая структура шпинели, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны

Тип: Статья

Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов MnAgIn7S12

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация