Результаты моделирования с помощью методов из первых принципов показали возможность формирования нанотрубок Ca 2 Si.
Установлено, что ширина их запрещённой зоны уменьшается с уменьшением диаметра нанотрубки и принимает значения от
0,69 эВ (ширина запрещённой зоны двумерного Ca 2 Si) и менее. В отличие от двумерного Ca 2 Si, нанотрубки Ca 2 Si кресельного типа
являются прямозонными полупроводниками, что открывает для них перспективы в оптоэлектронике.
