Представлены результаты моделирования комплексной диэлектрической проницаемости графена в зависимости отприложенного перпендикулярно к плоскости графена магнитного поля в терагерцевом частотном диапазоне. Полученные частотные зависимости показали, что управлять комплексной диэлектрической проницаемостью графена можно путем изменения значения величины индукции магнитного поля.