Рассматриваются вопросы регистрации ядерного излучения с помощью полупроводниковых детекторов. Представлены результаты моделирования воздействия тяжелой заряженной частицы с величиной линейной передачи энергии равной 1,81 МэВ·см2/мг и 55,0 МэВ·см2/мг, на электрические характеристики приборной структуры полупроводникового микрострипового детектора ядерных излучений.
