В данной работе были исследованы закономерности формирования тонких пленок оксида цинка (ZnO) с примесью меди методом электрохимического осаждения на подложках из монокристаллического кремния. Полученные структуры были исследованы методом оптической спектрофотометрии. Полученные структуры демонстрируют широкую полосу фотолюминесценции в видимом диапазоне с максимумом на длине волны 590 нм, соответствующую излучательным переходам через обусловленные дефектами уровни в запрещенной зоны полупроводника. Была изучена фотокаталитическая активность в зависимости от режимов осаждения, при добавлении примеси меди (Cu) фотокаталитическая активность возрастает на 20%.