Дата публикации: 2020

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:56:43Z

Аннотация:

Рассматривается применение кремниевых микростриповых детекторов (КМД) в качестве прямых преобразователей ионизирующего излучения при проектировании нового оборудования ядерной медицины [14], используемого в однофотонной эмиссионной компьютерной томографии (ОФЭКТ) и позитронноэмиссионной томографии (ПЭТ). Новые конструкции позволяют создавать более компактные и нечувствительные к магнитным полям системы в сочетании со сканерами магнитного резонанса в оборудовании ОФЭКТ и ПЭТ. В статье представлены результаты компьютерного моделирования электрических характеристик приборной структуры КМД с учетом воздействия тяжелой заряженной частицы. Посредством отсеивающего эксперимента выявлены наиболее значимые конструктивные параметры и режимы технологических операций формирования приборной структуры КМД, а также определены их значения, обеспечивающие уменьшение временного разрешения более чем на 10%. The use of silicon microstrip detectors (SMD) as direct converters of ionizing radiation in the design of new nuclear medicine equipment [1-4] used in single-photon emission computed tomography (SPECT) and positron emission tomography (PET) is considered. New designs will allow for more compact and insensitive to magnetic fields systems in combination with magnetic resonance scanners in SPECT and PET equipment. The article presents the results of computer modeling of the electrical characteristics of the device structure of the SMD taking into account the effect of a heavy charged particle (HCP). By means of a screening experiment, the most significant design parameters and modes of technological operations for the formation of the device structure of the SMD were identified, and their values were determined, which ensure a decrease in the time resolution by more than 10%.

Тип: Статья