Конденсатор для интегральных микросхем, содержащий нижнюю обкладку из легированного поликристаллического кремния, расположенную на диэлектрической пленке, сформированной на полупроводниковой подложке с активными элементами, пленку конденсаторного диэлектрика, состоящую из слоя диоксида кремния и слоя нитрида кремния, и верхнюю обкладку из легированного поликристаллического кремния, отличающийся тем, что дополнительно содержит слой оксинитрида кремния толщиной 1-5 нм, расположенный между слоем нитрида кремния и верхней обкладкой.
