Полевой транзистор с затвором, выполненным из комбинации металлов титан/платина/золото и изолированным слоем диоксида кремния, содержащий контактные области истока и стока, выполненные из комбинации металлов титан/платина/золото, которые вместе со слоем диоксида кремния расположены на слое графена, который, в свою очередь, расположен на поверхности полупроводниковой подложки, отличающийся тем, что контактные области истока и стока полностью расположены на слое графена, а полупроводниковая подложка выполнена из материала арсенид галлия.
