Способ травления полупроводниковой кремниевой подложки, включающий погружение кремниевой подложки в водный раствор, содержащий 1,0-1,75 % HF, 0,5-1,1 % NH 4 F и 0,07-0,14 % смачивающей добавки СВ-1017, и пропускание через нее анодного тока, отличающийся тем, что используют водный раствор, дополнительно содержащий 0,0025-0,01 % неионогенного гидрофильного высокомолекулярного поверхностно-активного вещества полиоксиэтилена, а через подложку пропускают анодный ток плотностью 100-120 мА/см 2.
