Исследована возможность осаждения в каналы пор пористого кремния легкоплавких металлов индия и олова, а также сплава олово-цинк-кадмий. Металлы были осаждены на подготовленные анодированием подложки из мезопористого кремния путём расплавления при ультразвуковой обработке. Изучение образцов методами сканирующей электронной микроскопии и энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии показало, что данный метод обеспечивает полное заполнение каналов пор металлом, обеспечивая его наибольшую концентрацию в верхней части канала. Deposition of three different fusible metals into porous silicon was evaluated: In, Sn and a Sn-Zn-Cd alloy. Each metal was deposited via ultrasound-assisted high temperature processing onto porous silicon wafers obtained by anodizing monocrystalline silicon. The results of scanning electron microscopy and energy-dispersive X-ray spectroscopy suggest that this method allows to completely fill the pore channels with metal, with its highest concentration observed in the topmost part of the porous layer.