Дата публикации: 2021

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T18:01:19Z

Аннотация:

Исследованы электрофизические характеристики тонких пленок легированного вольфрамом оксида ванадия. Установлено, что пленки легируемого вольфрамом оксида ванадия имеют более низкое значение удельного сопротивления и широкий диапазон изменения ТКС, чем пленки не легируемого оксида ванадия. In this article, electrophysical characteristics thin films of tungsten-doped vanadium oxide have been investigated. It was found that thin films of tungsten-doped vanadium oxide have lower resistivity value and wider range of TCR variation than thin films of non-doped vanadium oxide.

Тип: Статья