Дата публикации: 2021

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T18:02:58Z

Аннотация:

Проведено квантово-механическое моделирование структурных и оптических свойств графена, диэлектрической подложки SiO2 и гетероструктур на их основе. Расчеты проводились на основе теории функционала плотности DFT с использованием методов, включающих силы Ван-дер-Ваальса. Программный пакет VASP использовался в качестве среды моделирования. Отрицательные участки действительной части диэлектрической проницаемости для чистого графена наблюдаются на частотах от 4,05 до 5,28 эВ. Контакт графена с диэлектрической подложкой может привести к образованию двумерного электронного газа. Величина заряда, который возникает вследствие контакта, составляет 0,07 e/атом.

Тип: Статья