Дата публикации: 2021

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T18:03:00Z

Аннотация:

В работе проведено исследование влияния ориентации и морфологии наношнуров Si и Ge с диаметром ~ 5 нм на решеточную теплопроводность. Обнаружено, что для наношнуров Si/Ge со структурой сегментного типа возможно достичь коэффициента теплопроводности менее 2 Вт/(м∙К), в то время как значения теплопроводности для наношнуров из чистого Si и Ge составляют 19,1 и 11,4 Вт/(м∙К).

Тип: Статья