Дата публикации: 2021

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T18:03:03Z

Аннотация:

В работе изучены термоэлектрические свойства кремниевых гетероструктур со встроенными нанокристаллами антимонида галлия. Методом твердофазной эпитаксии удалось сформировать массив нанокристаллов антимонида галлия с высокой концентрацией (2.2×10 11 см -2 ) из тонкой стехиометрической плѐнки на Si(111). Образцы сохраняют высокую электропроводность сильнолегированного кремния. В n-плече удалось расширить диапазон максимально значения коэффициента Зеебека и сдвинуть его в область меньших температур. Коэффициент поперечной решѐточной теплопроводности при комнатной температуре был существенно снижен: со 150 Вт/(м·К) до 7.8 Вт/(м·К).

Тип: Статья