Дата публикации: 2001

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T18:05:06Z

Аннотация:

Целью работы является разработка физико-топологической модели МОП- транзистора, основанной на зарядовом приближении, учитывающей зависимость поверхностного потенциала, подвижности носителей заряда от режимов его работы в предпороговой области и сильной инверсии и обеспечивающей адекватность расчета выходной вольт-амперной характеристики.The aim of the present dissertation is to develop the MOSFET physical and topological model, based on charge approximation, which considers surface potential dependence, carrier mobility against its operation modes: under threshold and of strong inversion. The model should provide adequate calculation of output VAC.

Тип: Abstract of the thesis