Характеристики кристаллической структуры и физические свойства  пленочных структур на основе медь содержащих халькогенидных полупроводников для оптоэлектроники : отчет о НИР (заключ.)

Цырельчук, И. Н.; Хорошко, В. В.; Веремейчик, А. И.; Ермашкевич, М. Н.

Характеристики кристаллической структуры и физические свойства пленочных структур на основе медь содержащих халькогенидных полупроводников для оптоэлектроники : отчет о НИР (заключ.)

Цырельчук, И. Н., Хорошко, В. В., Веремейчик, А. И., Ермашкевич, М. Н.

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T18:06:30Z

Аннотация:

Исследованы оптические и электрические свойства тонких пленок CuxInxZn2-2xSe2 (получены зависимости удельного сопротивления ρ= 2∙100 – 2∙10+2 и коэффициента термоэдс α= 6–180 мкВ/К от состава тонких пленок на подложках из стекла, методом фотолюминесценции исследованы излучательные свойства пленок и определены природы деффектов в пленках) полученных тонких пленок твердых растворов CuxInxZn2-2xSe2 на подложках из стекла, нержавеющей стали, титана).

Ключевые слова:
отчеты о НИР, тонкопленочные солнечные элементы, фотолюминесценция, двухстадийная селенизация

Тип: Technical Report