Цель исследования - установление закономерностей влияния изовалентного замещения в ВiFеО[3] ионов Ві{3+} ионами La{3+} или Sm{3+}, а ионов Fe{3+} ионами Со{3+} или Ga{3+}, и замещения ионов Со{3+} в SmCoO[3] ионами Ga{3+} на кристаллическую структуру и физико-химические свойства образующихся твердых растворов Bi[1-x]La[x]Fe[1-x]Co[x]O[3], Bi[1-x]La[x]Fe[1-x]Ga[x]O[3], Bi[1-x]Sm[x]Fe[1-x]Co[x]O[3], SmCo[1-x]Ga[x]O[3] как сегнетомагнитных материалов, перспективных для создания новых устройств электронной техники.