Исследованы возможности ультрафиолетового волоконного наносекундного импульсного лазера с
длиной волны 355 нм и пиковой энергией в импульсе 10 мкДж для сверления отверстий и скрайбирования (резки) подложек-интерпозеров из различных материалов (кремний, карбид кремния, сапфир, стекло и др.) толщиной до 400 мкм для создания 2,5D- и 3D-интегрированных модулей. Экспериментально установлено, что при достигнутой плотности мощности излучения порядка 13,2·10 9 Вт/см 2обеспечивается абляция поверхности на уровне выпаривания материала, что повышает качество обработки при выполнении операций сверления, резки и подгонки полупроводниковых структур.