В работе предложена методика определения эффективной массы полупроводникового образца из измерений пропускания на плазменной частоте. Изменение характеристической частоты достигается изменением повышенной концентрации в зоне проводимости исследуемого полупроводника путем облучения от вспомогательного источника (лазера) и изменением индукции внешнего магнитного поля.