Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Defect charging and resonant levels in half-Heusler Nb1-xTix FeSb

Tian Y., Vagizov F.G., Ghassemi N., Ren W., Zhu H., Wang Z., Ren Z., Ross J.H.

Дата публикации: 2021

Дата публикации в реестре: 2022-10-06T16:07:03Z

Аннотация:
Ключевые слова:
Charging defect, Half-Heusler, Mössbauer, NMR, Resonant state

Тип: Article

Источник: SCOPUS-2021-16-SID85094193866

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core