Дата публикации: 2017

Дата публикации в реестре: 2022-10-06T16:30:31Z

Аннотация:

Получено уравнение диффузии примесных атомов в кристаллах кремния, на основе которого может быть определено влияние заряженных кластеров в кристалле кремния на процесс переноса примеси. Показано, что характерной особенностью этого влияния является возникновение дополнительного потока примесных атомов, который может привести к сегрегации примеси. An equation of diffusion of impurity atoms in silicon crystals has been obtained, based on which the influence of charged clusters in a silicon crystal on the process of impurity transfer can be determined. It is shown that a characteristic feature of this effect is the appearance of an additional flux of impurity atoms, which is capable of leading to impurity segregation.

Тип: Article