Дата публикации: 2018

Дата публикации в реестре: 2022-10-06T16:30:55Z

Аннотация:

Рассмотрены особенности диагностических методов оценки устойчивости полупроводниковых структуру и интегральных схем к воздействию электростатических разрядов. Показано, что причиной возникновения отказов в интегральных схемах может служить достаточно большой спектр воздействующих дестабилизирующих факторов. Однако одним из самых разрушительных и опасных является электростатический разряд – импульсный перенос накопленного электростатического заряда между телами с разными электростатическими потенциалами. Выполнен анализ выявленных дефектов в микроконтроллерах, вызванных воздействием электростатических разрядов. The features of diagnostic methods for assessing the stability of the semiconductor structure and integrated circuits to the effects of electrostatic discharges are considered. It is shown that the reason for the occurrence of failures in integrated circuits can be a sufficiently large range of influencing destabilizing factors. However, one of the most destructive and dangerous is electrostatic discharge - a pulsed transfer of accumulated electrostatic charge between bodies with different electrostatic potentials. The analysis of detected defects in microcontrollers caused by exposure to electrostatic discharges has been performed.

Тип: Статья